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SK Hynix 正在通过其新型高速存储技术革新移动 AI 领域。该公司正在研发下一代高带宽存储（High-Bandwidth Storage，简称 HBS），该技术通过堆叠多个芯片并使用新型垂直布线扇出（Vertical Wire Fan-Out，简称 VFO）封装技术进行连接，使芯片能够更快地处理数据，从而提升设备端的 AI 性能。
据报道，SK Hynix 正在开发一种名为高带宽存储（HBS）的下一代存储技术，该技术有望提升智能手机和平板电脑的 AI 性能。这家科技公司计划将多个 DRAM 和 NAND 芯片堆叠在一起，以加快数据流动速度。如果成功，这将减少手机在使用强大 AI 功能时的延迟。
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高带宽存储的基本原理是通过堆叠 16 层内存和闪存芯片来实现。虽然芯片堆叠并不是新技术，但关键创新在于垂直布线扇出（VFO）封装。VFO 使用直线布线而非传统的曲线连接方式将这些堆叠芯片连接起来。由于芯片现在通过垂直线连接，这种设置缩短了布线路径，减少了信号损失，并降低了延迟。
VFO 还可能取代更复杂的堆叠方法，例如高端内存中使用的硅通孔（Through-Silicon Via，简称 TSV）技术。通过简化封装，SK Hynix 可能还能够降低整体成本。这项技术也可能更适用于智能手机，而不仅仅是数据中心。
SK Hynix 认为，HBS 将使芯片更容易处理大量数据，从而使设备端 AI 性能更智能、更快速。对于智能手机制造商来说，HBS 可能意味着下一代手机和平板电脑能够本地运行 AI 模型，而无需依赖云端处理。语音助手和其他内置 AI 功能等设备端 AI 可能会变得更加灵敏。
然而，目前尚无关于该产品商业化发布的消息。尚不清楚哪些芯片组将支持 HBS，它何时会在智能手机上亮相，或者在成本和性能方面是否会带来任何变化。
